به گفته محققان، اين افزاره که ايده آن نخستين بار در سال 1925 داده شدهولي تاکنون ساخته نشده است، خواص الکتريکي نسبتاً ايد‌ه‌آلي دارد. اينافزاره در مقايسه با ترانزيستورهاي مرسوم امروزي به صورت بالقوه مي‌تواندسريع‌تر و با توان کمتر کار کند.

ترانزيستور‌هاي امروزيداراي اتصالات نيمه‌رسانا مي‌باشند. معمول‌ترين نوع اتصال، اتصال p-n استکه به‌وسيلة تماس بين يک قطعه سيليکوني نوع p و يک قطعه سيليکوني نوع n تشکيل مي‌شود. در قطعه نوع p، سيليکون براي ايجاد حفره‌هاي اضافي باناخالصي‌ها دوپ مي‌شود و در قطعه نوع p، سيليکون براي ايجاد الکترون‌هاياضافي با ناخالصي‌ها دوپ‌ مي‌شود.

تعداد ترانزيستورها روييک ميکروتراشه سيليکوني منفرد به طور فزاينده‌اي در حال افزايش مي‌باشد واز سال 1970 تاکنون از چندصد به چندين بيليارد رسيده است. در نتيجهترانزيستورها به قدري ريز شده‌اند که ايجاد اتصالات با کيفيت در آنها بهشدت مشکل شده است. در عمل تغيير غلظت دوپ‌کننده‌ي يک ماده‌ي در فصول کمتراز حدود 10 نانومتر بسيار مشکل است.

اکنون جين- پير کالينگ وهمکارانش در مؤسسه ملي تيندال؛ براي حل اين مشکل از ايده مطرح شده در سال 1925 الهام گرفته‌اند.

طبق اين ايده، ترانزيستور يک مقاومت ساده است وشامل يک گيت مي‌باشد که چگالي الکترون‌ها و حفره‌ها و در نتيجه جريانالکتريکي را کنترل مي‌کند. افزاره ساخته شده به وسيله اين محققان يکنانوسيم سيليکوني مي‌باشد که در آن جريان الکتريکي به ‌طور کامل به‌ وسيلةيک گيت سيليکوني کنترل مي‌شود. اين گيت به ‌وسيلة يک لايه عايق نازک ازاين نانوسيم جدا مي‌شود.

در اين حالت نياز بهتغيير دوپ‌کننده در فواصل کم نيست. در عوض کل اين نانوسيم، نوع n و گيتنوع p مي‌باشد. حضور اين گيت منجر به تخليه‌ تعدادي از الکترون‌ها درناحيه‌ انتهايي نانوسيم متصل به آن مي‌شود. اگر يک ولتاژ در سرتاسر ايننانوسيم اعمال شود، جريان الکتريکي در سرتاسر اين ناحيه تخليه‌ شده جارينمي‌شود. اگر يک ولتاژ به گيت نيز اعمال شود، اثر فشردگي کاهش‌ يافته وجريان جاري مي‌شود.

نتايج اين تحقيق در مجله‌ Nature Nanotechnology منتشر شده است.